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IXFH58N20 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH58N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH58N20 数据手册 (4 页)

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IXFH58N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

58.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

300 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.04 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

58.0 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

4400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXFH58N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH58N20 符合标准

IXFH58N20 海关信息

IXFH58N20 概述

IXFH58N20 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.1 MByte

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20 页 / 2.6 MByte

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