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IXFH74N20
4.24
IXFH74N20 数据手册 (2 页)
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IXFH74N20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
极性
N-CH
功耗
360W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
74A
输入电容值(Ciss)
5400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
360W (Tc)

IXFH74N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH74N20 数据手册

IXYS Semiconductor
2 页 / 0.13 MByte
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.13 MByte

IXFH74 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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