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IXFH9N80 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXFH9N80 数据手册 (4 页)

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IXFH9N80 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

180 W

漏源极电压(Vds)

800 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

2600pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

180W (Tc)

IXFH9N80 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH9N80 符合标准

IXFH9N80 数据手册

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IXYS Semiconductor

4 页 / 0.2 MByte

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