￥ 18.133

IXFK150N30P3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFK150N30P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 300 V, 0.019 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXFK150N30P3 数据手册 (5 页)

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IXFK150N30P3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.3 kW

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

连续漏极电流(Ids)

150A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

12100pF @25V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300W (Tc)

IXFK150N30P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

19.96 mm

宽度

5.13 mm

高度

26.16 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFK150N30P3 符合标准

IXFK150N30P3 概述

IXFK150N30P3 数据手册

IXFK150N30P3 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

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IXFK150N30P3 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXFK150N30P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 300 V, 0.019 ohm, 10 V, 5 V

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