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IXFK30N100Q2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFK30N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 1 kV, 400 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFK30N100Q2 数据手册 (4 页)

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IXFK30N100Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

735 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

1 kV

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

8200pF @25V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

735W (Tc)

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IXFK30N100Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tube

重量

10.0 mg

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFK30N100Q2 符合标准

IXFK30N100Q2 概述

IXFK30N100Q2 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.56 MByte

IXFK30N100Q2 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.1 MByte

IXFK30N100Q2 开发手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 1.89 MByte

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IXFK30N100Q2 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXFK30N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 1 kV, 400 mohm, 10 V, 5 V

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