IXFK420N10T

￥ 4.565

IXFK420N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

N沟道 100V 420A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFK420N10T 数据手册 (6 页)

IXFK420N10T 数据手册 (6 页)

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IXFK420N10T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-264-3

极性

N-CH

功耗

1670W (Tc)

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

420A

输入电容值(Ciss)

47000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

1670W (Tc)

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IXFK420N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

5.13 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFK420N10T 符合标准

IXFK420N10T 概述

IXFK420N10T 数据手册

IXFK420N10T 数据手册

IXYS Semiconductor

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IXFK420N10 数据手册

IXFK420N10T 数据手册

IXYS Semiconductor

N沟道 100V 420A

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