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IXFK48N50Q
2.374
IXFK48N50Q 数据手册 (4 页)
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IXFK48N50Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-264-3
功耗
500W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
7000pF @25V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500W (Tc)

IXFK48N50Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
19.96 mm
宽度
5.13 mm
高度
26.16 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFK48N50Q 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.56 MByte

IXFK48N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK48N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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