￥ 41.523

IXFK80N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXFK80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道增强模式功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFK80N50P 数据手册 (5 页)

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IXFK80N50P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

80.0 A

封装

TO-264-3

漏源极电阻

65.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1040 W

输入电容

1.28 nF

栅电荷

197 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

12700pF @25V(Vds)

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1040W (Tc)

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IXFK80N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

19.96 mm

宽度

5.13 mm

高度

26.16 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFK80N50P 符合标准

IXFK80N50P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.22 MByte

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