￥ 38.621

IXFN132N50P3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN132N50P3 数据手册 (6 页)

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IXFN132N50P3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.039 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.5 kW

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

18600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1500 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1500W (Tc)

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IXFN132N50P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.23 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN132N50P3 符合标准

IXFN132N50P3 概述