￥ 29.929

IXFN140N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN140N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 300 V, 24 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN140N30P 数据手册 (5 页)

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IXFN140N30P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Panel

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

N-Channel

功耗

700 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

连续漏极电流(Ids)

140 A

上升时间

30 ns

反向恢复时间

200 ns

输入电容值(Ciss)

14800pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700W (Tc)

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IXFN140N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

38.2 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN140N30P 符合标准

IXFN140N30P 概述

IXFN140N30P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.11 MByte

IXFN140N30P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.11 MByte

IXFN140N30 数据手册

IXFN140N30P 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN140N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 300 V, 24 mohm, 10 V, 5 V

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