IXFN170N10

￥ 1.486

IXFN170N10 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN170N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN170N10 数据手册 (4 页)

IXFN170N10 数据手册 (4 页)

或点击图片查看大图

IXFN170N10 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SOT-227-4

额定功率

600 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.01 Ω

极性

N-Channel

功耗

600 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

170 A

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

10300pF @25V(Vds)

下降时间

79 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

查看数据手册 >

IXFN170N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

38.3 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFN170N10 符合标准

IXFN170N10 数据手册

IXFN170N10 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.14 MByte

IXFN170N10 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.14 MByte

IXFN170 数据手册

IXFN170N10 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN170N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 4 V

IXFN170N30P 数据手册

IXYS Semiconductor

IXFN170N65X2 数据手册

IXYS Semiconductor

底座安装 N 通道 650V 170A（Tc） 1170W（Tc） SOT-227B

IXFN170N25X3 数据手册

IXYS Semiconductor

N沟道 250V 170A

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

2N6660 ST485BDR XCF01SVOG20C SN74AHC1G14DBVR AO3415A NC7WZ04P6X ADG1419BRMZ AM26LV32EIRGYR PIC18F25K80ISS GCM188R71H104KA57D

更多热门型号文档

热门型号

SN74LVC2G34DRLR

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z