￥ 43.619

IXFN24N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN24N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 1 kV, 390 mohm, 10 V, 5.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN24N100 数据手册 (4 页)

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IXFN24N100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

24.0 A

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.39 Ω

极性

N-Channel

功耗

600 W

阈值电压

5.5 V

漏源极电压(Vds)

1 kV

漏源击穿电压

1000 V

连续漏极电流(Ids)

24.0 A

上升时间

35 ns

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

8700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

568 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

568000 mW

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IXFN24N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

9.6 mm

重量

40.0 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN24N100 符合标准

IXFN24N100 概述