￥ 38.605

IXFN24N100F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS RF IXFN24N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN24N100F 数据手册 (2 页)

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IXFN24N100F 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

390 mΩ

极性

N-Channel

功耗

600 W

漏源极电压(Vds)

1 kV

漏源击穿电压

1000 V

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

6600pF @25V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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IXFN24N100F 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN24N100F 符合标准

IXFN24N100F 概述

IXFN24N100F 数据手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.09 MByte

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