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IXFN32N120
12.949
IXFN32N120 数据手册 (4 页)
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IXFN32N120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Chassis
引脚数
3 Pin
封装
SOT-227-4
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.35 Ω
极性
N-Channel
功耗
780 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
1.2 kV
漏源击穿电压
1200 V
连续漏极电流(Ids)
32.0 A
上升时间
42 ns
输入电容值(Ciss)
15900pF @25V(Vds)
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
780000 mW

IXFN32N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Box
材质
Silicon
长度
38.23 mm
宽度
25.42 mm
高度
9.6 mm
重量
0.000036 kg
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IXFN32N120 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.56 MByte
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.55 MByte

IXFN32 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN32N120  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 32 A, 1.2 kV, 350 mohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXFN32 系列 N 沟道 1000 V 27 A 320 mOhm Mosfet - SOT-227B
IXYS Semiconductor
N沟道 1.2kV 32A
Littelfuse(力特)
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