IXFN36N100

￥ 73.006

IXFN36N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

中高压MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN36N100 数据手册 (4 页)

IXFN36N100 数据手册 (4 页)

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IXFN36N100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

36.0 A

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.24 Ω

极性

N-Channel

功耗

700 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

1 kV

连续漏极电流(Ids)

36.0 A

上升时间

55 ns

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

9200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700000 mW

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IXFN36N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

9.6 mm

重量

46.0 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN36N100 符合标准

IXFN36N100 概述

IXFN36N100 数据手册

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4 页 / 0.12 MByte

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