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IXFN48N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN48N50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

48.0 A

封装

SOT-227-4

额定功率

520 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.1 Ω

极性

N-Channel

功耗

520 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

48.0 A

上升时间

60.0 ns

输入电容值(Ciss)

8400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

520 W

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

520W (Tc)

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IXFN48N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN48N50 符合标准

IXFN48N50 海关信息

IXFN48N50 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.1 MByte

IXFN48N50 其他数据使用手册

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5 页 / 0.56 MByte

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