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IXFN48N50U2
19.2
IXFN48N50U2 数据手册 (5 页)
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IXFN48N50U2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Chassis
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227-4
功耗
520W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
8400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
520 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
520W (Tc)

IXFN48N50U2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFN48N50U2 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.14 MByte
IXYS Semiconductor
12 页 / 0.55 MByte

IXFN48N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN48N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
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