IXFN50N50

￥ 25.721

IXFN50N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN50N50 数据手册 (4 页)

IXFN50N50 数据手册 (4 页)

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IXFN50N50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

600 W

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

50A

输入电容值(Ciss)

9400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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IXFN50N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

25.42 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN50N50 符合标准

IXFN50N50 数据手册

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