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IXFN64N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN64N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN64N60P 数据手册 (5 页)

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IXFN64N60P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

64.0 A

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.096 Ω

极性

N-Channel

功耗

700 W

阈值电压

5 V

输入电容

1.15 nF

栅电荷

200 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 W

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700W (Tc)

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IXFN64N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN64N60P 符合标准

IXFN64N60P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.14 MByte

IXFN64N60P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.68 MByte

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