IXFN82N60P

￥ 36.468

IXFN82N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN82N60P 数据手册 (5 页)

IXFN82N60P 数据手册 (5 页)

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IXFN82N60P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Panel

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.075 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.04 kW

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

82.0 A

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

23000pF @25V(Vds)

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1040W (Tc)

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IXFN82N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

38.2 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN82N60P 符合标准

IXFN82N60P 概述

IXFN82N60P 数据手册

IXFN82N60P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

IXFN82N60P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.15 MByte

IXFN82N60 数据手册

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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）低本质栅极电阻工业标准封装低封装电感高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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