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IXFT50N60P3
6.69
IXFT50N60P3 数据手册 (6 页)
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IXFT50N60P3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-268-2
极性
N-CH
功耗
1040W (Tc)
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
50A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
6300pF @25V(Vds)
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1040W (Tc)

IXFT50N60P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.05 mm
宽度
14 mm
高度
5.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFT50N60P3 数据手册

IXYS Semiconductor
6 页 / 0.14 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.14 MByte

IXFT50N60 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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