￥ 19.041

IXFX20N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 750 mohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFX20N120 数据手册 (4 页)

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IXFX20N120 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

750 mΩ

极性

N-Channel

功耗

780 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

输入电容值(Ciss)

7400pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

780W (Tc)

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IXFX20N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

重量

6 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFX20N120 符合标准

IXFX20N120 概述

IXFX20N120 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.55 MByte

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