￥ 3.799

IXFX34N80 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXFX 系列单 N 沟道 800 V 240 mOhm 560 W 功率 Mosfet - PLUS247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFX34N80 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IXFX34N80 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

34.0 A

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

240 mΩ

极性

N-CH

功耗

560000 mW

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

34.0 A

上升时间

45 ns

输入电容值(Ciss)

7500pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

560W (Tc)

查看数据手册 >

IXFX34N80 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

宽度

5.21 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFX34N80 符合标准

IXFX34N80 数据手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.04 MByte

IXFX34 数据手册

IXFX34N80 数据手册

IXYS Semiconductor

IXFX 系列单 N 沟道 800 V 240 mOhm 560 W 功率 Mosfet - PLUS247

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号