￥ 4.913

IXGA30N120B3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N120B3 单晶体管, IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXGA30N120B3 数据手册 (7 页)

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IXGA30N120B3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

功耗

300 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

额定功率(Max)

300 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300000 mW

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IXGA30N120B3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

9.65 mm

宽度

10.41 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGA30N120B3 符合标准

IXGA30N120B3 海关信息

IXGA30N120B3 数据手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.2 MByte

IXGA30N120B3 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.2 MByte

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