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IXGH24N60C
6.914

IXGH24N60C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
48.0 A
封装
TO-247-3
功耗
150000 mW
上升时间
25.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
150 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150000 mW

IXGH24N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGH24N60C 数据手册

IXYS Semiconductor
2 页 / 0.05 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.3 MByte

IXGH24N60 数据手册

IXYS Semiconductor
IGBT 晶体管 G-series A,B,C
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
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