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IXGH2N250
78.124

IXGH2N250 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
32000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
2500 V
额定功率(Max)
32 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
32000 mW

IXGH2N250 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGH2N250 数据手册

IXYS Semiconductor
7 页 / 0.19 MByte
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.16 MByte

IXGH2 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXGH20N120A3  单晶体管, IGBT, SIC, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IGBT 分立,IXYS### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IXYS Semiconductor
IXGH 系列 1600 Vce 75 A 45 ns t(on) 高压 IGBT - TO-247
IXYS Semiconductor
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IGBT 晶体管 G-series A,B,C
IXYS Semiconductor
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