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IXGH30N60C3C1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXGH30N60C3C1 单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXGH30N60C3C1 数据手册 (7 页)

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IXGH30N60C3C1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

功耗

220 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

220 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

220000 mW

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IXGH30N60C3C1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGH30N60C3C1 符合标准

IXGH30N60C3C1 海关信息

IXGH30N60C3C1 数据手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.28 MByte

IXGH30N60C3C1 其他数据使用手册

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8 页 / 0.27 MByte

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