IXGH31N60D1

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IXGH31N60D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXGH31N60D1 数据手册 (2 页)

IXGH31N60D1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

25 ns

额定功率(Max)

150 W

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

150 W

查看数据手册 >

IXGH31N60D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGH31N60D1 符合标准

IXGH31N60D1 数据手册

IXGH31N60D1 数据手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.05 MByte

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