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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > IXYS Semiconductor > IXGH40N120B2D1 Datasheet 文档
IXGH40N120B2D1
105.234

IXGH40N120B2D1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
380 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
100 ns
额定功率(Max)
380 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
380000 mW

IXGH40N120B2D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGH40N120B2D1 数据手册

IXYS Semiconductor
7 页 / 0.21 MByte

IXGH40N120B2 数据手册

IXYS Semiconductor
IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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