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IXGH60N60
6.952
IXGH60N60 数据手册 (4 页)
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IXGH60N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
75.0 A
封装
TO-247-3
额定功率
300 W
功耗
300000 mW
上升时间
25.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
300 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300000 mW

IXGH60N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGH60N60 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.09 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.3 MByte

IXGH60 数据手册

IXYS Semiconductor
IXGH 系列 600 Vce 75 A 21 ns t(on) 1.7 Vce(sat) IGBT - TO-247 AD
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IGBT 分立,IXYS### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IXYS Semiconductor
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IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IXYS Semiconductor
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