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IXGH6N170A 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

IXGH 系列 1700 Vce 6 A 46 ns t(on) 高压 IGBT - TO-247 AD

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXGH6N170A 数据手册 (4 页)

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IXGH6N170A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

75 W

功耗

75000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1700 V

额定功率(Max)

75 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

75000 mW

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IXGH6N170A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGH6N170A 符合标准

IXGH6N170A 海关信息

IXGH6N170A 概述

IXGH6N170A 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.16 MByte

IXGH6N170A 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.18 MByte

IXGH6N170 数据手册

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IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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