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IXGN200N60
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IXGN200N60 数据手册 (4 页)
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IXGN200N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227-4
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
输入电容值(Cies)
9nF @25V
额定功率(Max)
600 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IXGN200N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
38.3 mm
宽度
25.07 mm
高度
9.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGN200N60 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.09 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.3 MByte

IXGN200 数据手册

IXYS Semiconductor
IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns t(on) 中速 IGBT - SOT-227B
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IGBT 晶体管 200 Amps 600V
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IGBT 1700V 280A 1250W 底座安装 SOT-227B
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