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IXGN200N60A2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXGN200N60A2 数据手册 (5 页)

IXGN200N60A2 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

功耗

700000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

9.9nF @25V

额定功率(Max)

700 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700000 mW

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IXGN200N60A2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGN200N60A2 符合标准

IXGN200N60A2 数据手册

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