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IXGR16N170AH1
17.989
IXGR16N170AH1 数据手册 (2 页)
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IXGR16N170AH1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
120 W
上升时间
40.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
1700 V
反向恢复时间
150 ns
额定功率(Max)
120 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
120000 mW

IXGR16N170AH1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGR16N170AH1 数据手册

IXYS Semiconductor
2 页 / 0.51 MByte

IXGR16N170 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR16N170AH1  单晶体管, IGBT, 隔离, 16 A, 5 V, 120 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 引脚
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