器件3D模型

￥ 17.6

IXGR40N60C2D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

ISOPLUS-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXGR40N60C2D1 数据手册 (6 页)

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IXGR40N60C2D1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

ISOPLUS-247

功耗

170000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

25 ns

额定功率(Max)

170 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

170000 mW

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IXGR40N60C2D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.34 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGR40N60C2D1 符合标准

IXGR40N60C2D1 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.17 MByte

IXGR40N60C2D1 其他数据使用手册

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6 页 / 0.17 MByte

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