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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > IXYS Semiconductor > IXGR60N60B2D1 Datasheet 文档
IXGR60N60B2D1
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IXGR60N60B2D1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
250 W
上升时间
100 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
35 ns
额定功率(Max)
250 W
工作温度(Max)
150 ℃

IXGR60N60B2D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGR60N60B2D1 数据手册

IXYS Semiconductor
6 页 / 0.6 MByte
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.49 MByte

IXGR60N60B2 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR60N60B2  单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR60N60B2D1  单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
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