IXTF02N450

￥ 265.314

IXTF02N450 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

ISOPLUS-i4-PAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTF02N450 数据手册 (6 页)

IXTF02N450 数据手册 (6 页)

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IXTF02N450 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

ISOPLUS-i4-PAK-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

750 Ω

极性

N-CH

功耗

78 W

阈值电压

4V ~ 6.5V

漏源极电压(Vds)

4500 V

漏源击穿电压

4500 V

连续漏极电流(Ids)

0.2A

上升时间

48 ns

输入电容值(Ciss)

256pF @25V(Vds)

下降时间

143 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

78W (Tc)

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IXTF02N450 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTF02N450 符合标准

IXTF02N450 概述

IXTF02N450 数据手册

IXTF02N450 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.15 MByte

IXTF02N450 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.14 MByte

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IXTF02N450 数据手册

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