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IXTH10P50
11.34
IXTH10P50 数据手册 (2 页)
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IXTH10P50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-500 V
额定电流
-10.0 A
封装
TO-247-3
极性
P-CH
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
27.0 ns
输入电容值(Ciss)
4700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IXTH10P50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTH10P50 数据手册

IXYS Semiconductor
2 页 / 0.12 MByte
IXYS Semiconductor
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IXTH10 数据手册

IXYS Semiconductor
IXTH 系列 单 P 沟道 500 V 1 Ohm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD
IXYS Semiconductor
通孔 P 通道 600V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
IXYS Semiconductor
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