Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTH20N50D Datasheet 文档
IXTH20N50D
264.707

IXTH20N50D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
400 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
20A
输入电容值(Ciss)
2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
400 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400W (Tc)

IXTH20N50D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
宽度
5.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTH20N50D 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.15 MByte

IXTH20N50 数据手册

IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z