IXTH7P50

￥ 8.595

IXTH7P50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

P沟道 500V 7A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXTH7P50 数据手册 (2 页)

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IXTH7P50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-500 V

额定电流

-7.00 A

封装

TO-247-3

额定功率

180 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.5 Ω

极性

P-CH

功耗

180 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

3400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

180 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

180W (Tc)

IXTH7P50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTH7P50 符合标准

IXTH7P50 数据手册

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IXYS Semiconductor

2 页 / 0.07 MByte

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