IXTK120P20T

￥ 24.785

IXTK120P20T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTK120P20T 数据手册 (6 页)

IXTK120P20T 数据手册 (6 页)

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IXTK120P20T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

漏源极电阻

30 mΩ

极性

P-CH

功耗

1.04 kW

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

85 ns

输入电容值(Ciss)

73000pF @25V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1040000 mW

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IXTK120P20T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.29 mm

宽度

5.31 mm

高度

26.59 mm

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IXTK120P20T 符合标准

IXTK120P20T 概述

IXTK120P20T 数据手册

IXTK120P20T 数据手册

IXYS Semiconductor

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IXTK120P20 数据手册

IXTK120P20T 数据手册

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