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IXTK200N10L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXTK 系列单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXTK200N10L2 数据手册 (5 页)

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IXTK200N10L2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

极性

N-CH

功耗

1040 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

200A

上升时间

225 ns

输入电容值(Ciss)

23000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1040 W

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1040W (Tc)

IXTK200N10L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTK200N10L2 符合标准

IXTK200N10L2 概述

IXTK200N10L2 数据手册

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5 页 / 0.13 MByte

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