IXTK8N150L

￥ 250.133

IXTK8N150L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTK8N150L 数据手册 (5 页)

IXTK8N150L 数据手册 (5 页)

2 技术参数、封装参数

3

4

5

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IXTK8N150L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

漏源极电阻

3.6 Ω

功耗

700 W

阈值电压

8 V

漏源极电压(Vds)

1500 V

漏源击穿电压

1500 V

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

8000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 W

下降时间

95 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

700W (Tc)

查看数据手册 >

IXTK8N150L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.29 mm

宽度

5.31 mm

高度

26.59 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTK8N150L 符合标准

IXTK8N150L 概述

IXTK8N150L 数据手册

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IXYS Semiconductor

5 页 / 0.14 MByte

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