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IXTN200N10L2
329.347

IXTN200N10L2 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227-4
功耗
830 W
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
225 ns
输入电容值(Ciss)
23000pF @25V(Vds)
下降时间
27 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
830W (Tc)

IXTN200N10L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTN200N10L2 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte

IXTN200N10 数据手册

IXYS Semiconductor
底座安装 N 通道 100V 178A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
IXYS Semiconductor
N沟道 100V 200A
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