IXTN210P10T

￥ 300.315

IXTN210P10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXTN210P10T 数据手册 (6 页)

2 技术参数、封装参数

3

4

5

6

或点击图片查看大图

IXTN210P10T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

极性

P-CH

功耗

830W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

210A

上升时间

98 ns

输入电容值(Ciss)

69500pF @25V(Vds)

下降时间

55 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

830W (Tc)

IXTN210P10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTN210P10T 符合标准

IXTN210P10T 概述

IXTN210P10T 数据手册

IXTN210P10T 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.17 MByte

IXTN210P10 数据手册

IXTN210P10T 数据手册

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