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IXTN22N100L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTN22N100L 数据手册 (5 页)

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IXTN22N100L 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

极性

N-CH

功耗

700 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

22A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

7050pF @25V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700000 mW

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IXTN22N100L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTN22N100L 符合标准

IXTN22N100L 概述

IXTN22N100L 数据手册

IXYS Semiconductor

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IXTN22N100 数据手册

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