IXTP08N100D2

￥ 1.005

IXTP08N100D2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道 1kV 800mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTP08N100D2 数据手册 (5 页)

封装尺寸在2 页 4 页

IXTP08N100D2 数据手册 (5 页)

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IXTP08N100D2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

60 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

上升时间

57 ns

输入电容值(Ciss)

325pF @25V(Vds)

下降时间

48 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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IXTP08N100D2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTP08N100D2 符合标准

IXTP08N100D2 数据手册

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