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IXTP60N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

IXTP 系列单通道 N 沟道 100 V 18 mOhm 176 W 功率 Mosfet - TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTP60N10T 数据手册 (5 页)

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IXTP60N10T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

18.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

176 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

2650pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

176 W

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

176W (Tc)

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IXTP60N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.66 mm

宽度

4.82 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXTP60N10T 符合标准

IXTP60N10T 数据手册

IXYS Semiconductor

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IXTP60N10 数据手册

IXTP60N10T 数据手册

IXYS Semiconductor

IXTP 系列单通道 N 沟道 100 V 18 mOhm 176 W 功率 Mosfet - TO-220

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