￥ 3.645

IXTP75N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXTP75N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTP75N10P 数据手册 (5 页)

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IXTP75N10P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.025 Ω

极性

N-Channel

功耗

360 W

阈值电压

5.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

上升时间

53 ns

输入电容值(Ciss)

2250pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

360 W

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360000 mW

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IXTP75N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXTP75N10P 符合标准

IXTP75N10P 概述

IXTP75N10P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.24 MByte

IXTP75N10P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

20 页 / 2.6 MByte

IXTP75N10 数据手册

IXTP75N10P 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXTP75N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V

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