￥ 3.17

IXTP76P10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

P沟道 100 V 76 A 25 mΩ 法兰安装 TrenchP 功率 Mosfet - TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTP76P10T 数据手册 (6 页)

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IXTP76P10T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

P-CH

功耗

298 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

76A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

13700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

298 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

298W (Tc)

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IXTP76P10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTP76P10T 符合标准

IXTP76P10T 概述

IXTP76P10T 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.21 MByte

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7 页 / 0.31 MByte

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